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単層カーボンナノチューブ

SWNT APJ

　　

直径の均一性がよい＝直径1.4nm前後
高結晶性

APJ

SWNT APJ

apj1

SEM写真

apj2

TEM写真

製法	アーク放電法
直径	1.4nm前後
長さ	1～5µm
炭素純度	＞30％

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SWNT SO

　　

直径の均一性がよい＝直径1.4nm前後
高結晶性 / 高純度

製法	アーク放電法
直径	1.4nm前後
長さ	1～5µm
炭素純度	＞90％

semicon

SWNT SO

tv2

TEM写真

xyf2

2次元発光励起
スペクトル

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SWNT FH-A

　　

繊維長が比較的長い
高結晶性

FH-A

SWNT FH-A

apj1

SEM写真

apj2

TEM写真

製法	アーク放電法
直径	1～2.5nm
長さ	～10µm
炭素純度	＞50％

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SWNT FH-P

　　

繊維長が比較的長い
高結晶性 / 高純度

製法	アーク放電法
直径	1～2.5nm
長さ	～10µm
炭素純度	＞90％

FH-P

SWNT FH-P

tv2

SEM写真

xyf2

TEM写真

※値は代表値であり、保証値ではございません。

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